一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法技术

技术编号:11064695 阅读:104 留言:0更新日期:2015-02-19 12:17
本发明专利技术涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法,包括硅基体(1)、可动结构(5)以及盖帽(8),可动结构(5)以及盖帽(8)之间用金属粘接剂(7)连接,可动结构(5)与硅基体(1)进行硅硅键合,其特征在于:硅基体(1)中设有对通的绝缘深槽,绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅(3),绝缘深槽之间的硅基体(1)形成隔离电极(4),隔离电极(4)上面与可动结构(5)对应配合。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS器件双面对通介质隔离结构,包括硅基体(1)、可动结构(5)以及盖帽(8),可动结构(5)以及盖帽(8)之间用金属粘接剂(7)连接,可动结构(5)与硅基体(1)进行硅硅键合,其特征在于:硅基体(1)中设有对通的绝缘深槽,绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅(3),绝缘深槽之间的硅基体(1)形成隔离电极(4),隔离电极(4)上面与可动结构(5)对应配合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王鹏郭群英黄斌王文婧何凯旋陈博陈璞刘磊
申请(专利权)人:华东光电集成器件研究所
类型:发明
国别省市:安徽;34

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