用于滤色器阵列的介电结构制造技术

本发明专利技术提供了一种集成电路器件，其中，光电二极管阵列形成在半导体衬底的表面处。包括多层电介质的介电结构形成在光电二极管上方。滤色器阵列形成在光电二极管上方及介电结构内。滤色器的底部沿介电结构的两层之间的界面对准。界面提供允许良好的控制沟槽深度的蚀刻停止，沟槽用于在其中形成滤色器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了用于集成电路器件的图像传感器及其制造方法。
技术介绍
图像传感器用于PC摄像头、手机和其他应用。电荷耦合器件（CCD）图像传感器曾经很普及，但现在已经被互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器大量替代。CMOS图像传感器包括无源像素传感器（PPS）和有源像素传感器（APS）。APS在像素阵列的每个单元内包括至少一个光电二极管和放大器。可以将放大器配置为通过像素自身驱动的源极跟随器。滤色器可以排列在像素单元上方以提供彩色图像感测。典型的滤色器阵列具有布置在网格图案中的三个或四个不同的滤镜类型。滤色器阵列的实例包括具有红色、绿色和蓝色滤镜类型的拜耳（Bayer）滤镜、CYGM滤镜（蓝绿色、黄色、绿色和品红色）以及RGBE滤镜（红色、绿色、蓝色和翠绿色）。蓝色滤色器在约450nm光谱宽度可以具有最大传输速率，而在50nm的光谱宽度，传输在最大传输速率的50%以内。绿色滤色器在约550nm光谱宽度可以具有最大传输速率，而在50nm的光谱宽度，传输在最大传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，包括：半导体衬底，具有表面；光电二极管阵列，位于所述表面处；介电结构，位于所述光电二极管上方，所述介电结构由两层或多层电介质形成；以及滤色器阵列，位于所述光电二极管上方和所述介电结构内；其中，所述介电结构的一层或多层位于所述滤色器和所述光电二极管之间；所述介电结构的一层或多层形成将邻近的滤色器间隔开的网格；以及所述介电结构的两层具有界面，所述滤色器的底部与所述界面对准。

【技术特征摘要】
2013.07.17 US 13/943,9071.一种集成电路器件，包括：
半导体衬底，具有表面；
光电二极管阵列，位于所述表面处；
介电结构，位于所述光电二极管上方，所述介电结构由两层或多层电
介质形成；以及
滤色器阵列，位于所述光电二极管上方和所述介电结构内；
其中，所述介电结构的一层或多层位于所述滤色器和所述光电二极管
之间；
所述介电结构的一层或多层形成将邻近的滤色器间隔开的网格；以及
所述介电结构的两层具有界面，所述滤色器的底部与所述界面对准。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述介电结构包括：
第一介电层；
第二介电层，位于所述第一介电层上方；以及
蚀刻停止层，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间。
3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述第一介电层和所
述蚀刻停止层之间的界面与所述滤色器的底部对准。
4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层和所
述第二介电层之间的界面与所述滤色器的底部对准。
5.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述第一介...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胤杰，李国政，郑志成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71