金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构技术

本发明专利技术涉及一种金属层间介质的形成方法，包括下列步骤：步骤A，向晶圆片的金属层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层；步骤B，在所述富硅氧化层上淀积掺杂氟的硅玻璃，形成掺氟硅玻璃层；步骤C，在所述掺氟硅玻璃层上淀积未掺杂的硅玻璃，形成未掺杂硅玻璃层；步骤D，对所述晶圆片形成了所述未掺杂硅玻璃层的一面进行化学机械研磨。本发明专利技术还涉及一种金属层间介质结构。本发明专利技术利用填充性能较好的掺杂氟的硅玻璃填充IMD(inter-metal?dielectric)的底部，同时利用未掺杂的硅玻璃作为掺氟硅玻璃层的阻挡层，防止氟的扩散出。在保证填充质量的同时，需要的工序较少，节省了成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属层间介质的形成方法，还涉及一种金属层间介质结构。
技术介绍
随着集成电路工艺技术的发展，集成电路的尺寸也在不断按照摩尔定律减小，这就要求不断有新的工艺技术来支持不断提升的产品要求，尤其是针对后段工艺线宽的要求更是严格。对于现有的金属层间介质(inter-metal dielectric, IMD)的淀积制造,招(AL)制程工艺对于填充高宽比较大的结构，业界目前采用的膜层堆叠(film stack)结构已经不能满足产品要求。业界传统的铝线后段制程工艺，对于填充高宽比较大的结构，一般采用下面两种工艺:1.淀积富硅氧化物(SRO) +高密度等离子体淀积未掺杂的硅玻璃(HDP USG) +金属层间介质化学机械研磨(MD CMP)。2.淀积富硅氧化物(SRO) +高密度等离子体淀积掺杂氟的硅玻璃(HDP FSG) +等离子增强型淀积掺杂氟的硅玻璃(PE FSG)+金属层间介质化学机械研磨(MD CMP) +等离子增强型淀积正硅酸乙酯(PE TE0S)。图1是一种传统的金属层间 介质淀积后的结构不意图。第I种工艺对于填充高宽比(即图1中h/w)大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属层间介质的形成方法，包括下列步骤：步骤A，向晶圆片的金属层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层；步骤B，在所述富硅氧化层上淀积掺杂氟的硅玻璃，形成掺氟硅玻璃层；步骤C，在所述掺氟硅玻璃层上淀积未掺杂的硅玻璃，形成未掺杂硅玻璃层；步骤D，对所述晶圆片形成了所述未掺杂硅玻璃层的一面进行化学机械研磨。

【技术特征摘要】
1.一种金属层间介质的形成方法，包括下列步骤: 步骤A，向晶圆片的金属层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层； 步骤B，在所述富硅氧化层上淀积掺杂氟的硅玻璃，形成掺氟硅玻璃层； 步骤C，在所述掺氟硅玻璃层上淀积未掺杂的硅玻璃，形成未掺杂硅玻璃层； 步骤D，对所述晶圆片形成了所述未掺杂硅玻璃层的一面进行化学机械研磨。2.根据权利要求1所述的金属层间介质的形成方法，其特征在于，所述金属层的金属连线高宽比是2至2.9。3.根据权利要求1所述的金属层间介质的形成方法，其特征在于，所述步骤B是采用高密度等离子体化学气相淀积掺杂氟的硅玻璃。4.根据权利要求1所述的金属层间介质的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈美丽，王乐，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：