半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层；待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线；去除所述牺牲层，形成空气间隙。本发明专利技术的实施例可以形成均一性好的空气间隙，有效降低了互连层中的有效K值，且不会损伤导电线，提高了半导体器件在半导体集成电路中的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代，集成电路内元件的密度会随之增加，而元件尺寸以及零件或元件之间的间距会随之缩小。在过去要达成上述目的，仅受限于光刻技术定义结构的能力，现有技术中，具有较小尺寸的元件的几何特征产生了新的限制因素。例如，当导电图案之间的距离缩小时，任意两相邻的导电图案所产生的电容(为用以隔开导电图案之间的距离的绝缘材料的介电常数K的函数)会增加。此增加的电容会导致导体间的电容耦合上升，从而增加电力消耗并提高电阻-电容(Re)时间常数。因此，半导体集成电路性能以及功能是否可以不断的改良取决于正在开发的具有低介电常数的材料。由于具有最低介电常数的材料为空气(k = 1.0)，通常会形成空气间隙来进一步降低互连层内的有效K值。现有技术中的，包括:请参考图1，提供半导体衬底100 ;形成覆盖所述半导体衬底100的刻蚀停止层101 ;形成覆盖所述刻蚀停止层101的层间介质层103 ;形成位于所述层间介质层103表面的图形化的光刻胶层105 ；请参考图2，以所述图形化的光刻胶层105为掩膜，刻蚀所述层间介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；其特征在于，还包括：氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层；待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线；去除所述牺牲层，形成空气间隙。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，包括: 提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽； 其特征在于，还包括: 氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层； 对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层； 待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线； 去除所述牺牲层，形成空气间隙。2.按权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为Si02。3.按权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层米用的气体为02、O3或C02。4.按权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层的温度条件为:大于等于150°C。5.按权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层采用的工艺为等离子体氧化工艺。6.按权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氮化处理采用的气体为NH3、N2、NO或NO2中的一种。7.按权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：