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本发明的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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