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本发明公开了一种RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。本发明还公开了上述结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法。本发明通过优化场氧所需单...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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