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本实用新型涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架（1）以及粘贴于框架（1）上的大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的G极与框架（1）的G脚之间连接有一根G引线（3），所述...
该专利属于江阴苏阳电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴苏阳电子股份有限公司授权不得商用。

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