一种塑封外延型超快恢复二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种塑封外延型超快恢复二极管，其创新点在于：包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦粗成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装，露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀层。本实用新型专利技术的优点在于：由于采用外延晶片可以很好地实现基区缓冲层结构。故外延片大幅度降低了反向电压），这样可以克服掺铂工艺正向电压降和反向时间折衷不佳的弊端，改善反向恢复特性，软度因子从0.3改善至1.0，同时发挥掺铂高温反向漏电流的突出优势。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种塑封外延型超快恢复二极管
本技术涉及一种二极管，特别涉及一种塑封外延型超快恢复二极管。
技术介绍
开关电源中功率器件的损耗影响其可靠性和效率，随着整机频率的提升以及开关电源技术的发展，对于因二极管的恢复特性欠佳而引发功率损耗的呼声与日俱增。传统的二极管会对电网产生谐波电流干扰，引起功率因数下降，造成电网污染。有源功率因数校正电路(典型电路见图1)可以有效地消除电源的谐波电流，提高功率因数，减小高次谐波。但是有源功率因数校正电路中的快恢复二极管由于反向恢复特性不佳，导致二极管产生较大的损耗，并产生EMI干扰谐波。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种塑封外延型超快恢复二极管，能够克服掺钼工艺正向电压降和反向恢复时间折衷不佳的弊端，改善反向恢复特性，同时发挥掺钼高温反向漏电流突出优势。为解决上述技术问题，本技术的技术方案为一种塑封外延型超快恢复二极管，其创新点在于包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦头成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种塑封外延型超快恢复二极管，其特征在于：包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦头成锥形，在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片，外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定；外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装，露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀。

【技术特征摘要】
1.一种塑封外延型超快恢复二极管，其特征在于包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层，铜引线为一对，铜引线的内端镦头成锥形，在铜引线内端...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：