一种复合式高压大功率场效应管制造技术

技术编号:7947865 阅读:240 留言:0更新日期:2012-11-05 22:40
本实用新型专利技术涉及一种高压大功率场效应管,包括框架,场效应管芯片,快速外延二极管芯片和环氧树脂,所述场效应管芯片与所述快速外延二极管芯片固定于所述框架上,所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接,所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接,所述快速外延二极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接,所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延二极管芯片包覆于内。本实用新型专利技术使场效应管的逆向回复特性获得极大的改善,提高了场效应管在切换式电路应用上的效率,进而降低电源系统的温度、有效提高效场效应管的通电能力。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种复合式高压大功率场效应管,特别涉及对高压大功率场效应管逆向回复特性的改进。
技术介绍
随着现在科技的快速发展,在变频器、电源应用、电源模块组件等行业中,对场效应管的效率要求也越来越高,而目前的高压大功率场效应管在切換式电路应用上,高压大功率场效应管的逆向回复的特性已无法符合高效率的电源应用规格需求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供ー种能有效改善场效应管逆向回复特性 的复合式高压大功率场效应管。本技术解决上述技术问题的技术方案如下ー种复合式高压大功率场效应管,包括框架,场效应管芯片,快速外延ニ极管芯片和环氧树脂,所述场效应管芯片与所述快速外延ニ极管芯片固定于所述框架上,所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接,所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接,所述快速外延ニ极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接,所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延ニ极管芯片包覆于内。采用上述方案的有益效果是将快速外延ニ极管并联到高电压大功率场效应管的栅极与源极上,使场效应管的逆向回复特性获得极大的改善,提高了场效应管在切换式电路应用上的效率,进而降低电源系统的温度、有效提高场效应管的通电能力。附图说明图I为本技术TO系列封装三引脚的半成品结构图;附图中,各标号所代表的部件列表如下I、框架,2、场效应管芯片,3、快速外延ニ极管芯片,4、源扱,5、栅极,6、栅极脚位,7、源极脚位。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本技术,并非用于限定本技术的范围。如图I所示,ー种复合式高压大功率场效应管,包括框架1,场效应管芯片2,快速外延ニ极管芯片3和环氧树脂,其特征在干所述场效应管芯片2与所述快速外延ニ极管芯片3固定于所述框架I上,所述场效应管芯片2的栅极5与所述框架I的栅极脚位6相连接,所述场效应管芯片2的源极4与所述框架I的源极脚位7相连接,所述快速外延ニ极管芯片3的正极与所述框架I的源极脚位7相连接,所述环氧树脂将所述框架I及所述场效应管芯片2、快速外延ニ极管芯片3包覆于内。以上所述仅为本技术的较佳实施例,并不用以限制本技术,凡在本实用 新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.ー种复合式高压大功率场效应管,包括框架,场效应管芯片,快速外延ニ极管芯片和环氧树脂,其特征在于所述场效应管芯片与所述快速外延ニ极管芯片固定于所述框架上,所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接,所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接,所述快速外延ニ极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接,所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延ニ极管芯片包覆于内。专利摘要本技术涉及一种高压大功率场效应管,包括框架,场效应管芯片,快速外延二极管芯片和环氧树脂,所述场效应管芯片与所述快速外延二极管芯片固定于所述框架上,所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接,所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接,所述快速外延二极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接,所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延二极管芯片包覆于内。本技术使场效应管的逆向回复特性获得极大的改善,提高了场效应管在切换式电路应用上的效率,进而降低电源系统的温度、有效提高效场效应管的通电能力。文档编号H01L25/16GK202513144SQ20122007087公开日2012年10月31日 申请日期2012年2月29日 优先权日2012年2月29日专利技术者翁宏达, 许盛勋 申请人:扬州虹扬科技发展有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式高压大功率场效应管,包括框架,场效应管芯片,快速外延二极管芯片和环氧树脂,其特征在于:所述场效应管芯片与所述快速外延二极管芯片固定于所述框架上,所述场效应管芯片的栅极与所述框架的栅极脚位相连接,所述场效应管芯片的源极与所述框架的源极脚位相连接,所述快速外延二极管芯片正极与所述框架的源极脚位相连接,所述环氧树脂将所述框架及所述场效应管芯片、快速外延二极管芯片包覆于内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:翁宏达许盛勋
申请(专利权)人:扬州虹扬科技发展有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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