高压结型场效应管的结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高压结型场效应管的结构及制造方法，具第一导电类型的硅衬底上形成具有第二导电类型的阱区，阱区内具有漂移区和体区，漂移区耐高压，体区是结型场效应管的沟道区；漂移区内形成具第一导电类型的反型层，反型层一端上有隔离结构，沟道区外侧形成具第一导电类型的栅极区，漂移区形成漏极引出端，沟道区形成源极引出端，栅极区形成栅极引出端，衬底区形成衬底引出端，漏极引出端和源极引出端为第二导电类型，栅极引出端和衬底引出端为第一导电类型；沟道区先采用光刻形成至少两条支路沟道，再通过离子注入及推进连接多条支路形成一个沟道。本发明专利技术使沟道的有效杂质浓度降低，沟道更易耗尽，夹断电压降低，可得到不同夹断电压的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种高压结型场效应管的结构。本专利技术还涉及所述高压结型场效应管的制造方法。
技术介绍
目前的高压结型场效应管JFET)器件的沟道区通过光刻定义为一个通路，然后用离子注入及推进形成沟道，沟道区的杂质浓度为注入的有效面密度。以HV N型沟道JFET器件举例说明，如图1至图2所示，传统的HV N型JFET器件的沟道区是由光刻定义出一个DNW沟道区，然后通过离子注入形成沟道，这样沟道中的杂质浓度为DNW的有效杂质浓度，夹断电压取决于DNW注入时的剂量，这种工艺条件下的JFET的夹断电压往往只有一种，通道不易耗尽。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可以降低夹断电压，且在同一种工艺条件下可以得到不同的夹断电压。为解决上述技术问题，本专利技术的高压结型场效应管的制造方法，包括以下步骤:第I步，在衬底上采用光刻形成漏极漂移区和至少两条支路沟道，通过离子注入及推进将多条支路物理性连接形成一个沟道，所述衬底具有第一导电类型，漏极漂移区和沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第2步，在衬底上采用光刻和离子注入形成栅极区，栅极区具有第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在衬底上采用光刻形成漏极漂移区和至少两条支路沟道，通过离子注入及推进将多条支路物理性连接形成一个沟道，所述衬底具有第一导电类型，漏极漂移区和沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第2步，在衬底上采用光刻和离子注入形成栅极区，栅极区具有第一导电类型；第3步，在硅片表面形成多个隔离结构；第4步，在漏极漂移区采用光刻和离子注入形成漂移区反型层，所述漂移区反型层具有第一导电类型；第5步，在漏极漂移区和沟道区分别进行第二导电类型的离子注入，形成漏极引出端和源极引出端；在栅极区和衬底区分别进行第一导电类型的离子注入，形成栅极引出端和衬...

【技术特征摘要】
1.一种高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 第I步，在衬底上采用光刻形成漏极漂移区和至少两条支路沟道，通过离子注入及推进将多条支路物理性连接形成一个沟道，所述衬底具有第一导电类型，漏极漂移区和沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型； 第2步，在衬底上采用光刻和离子注入形成栅极区，栅极区具有第一导电类型； 第3步，在硅片表面形成多个隔离结构； 第4步，在漏极漂移区采用光刻和离子注入形成漂移区反型层，所述漂移区反型层具有第一导电类型； 第5步，在漏极漂移区和沟道区分别进行第二导电类型的离子注入，形成漏极引出端和源极引出端；在栅极区和衬底区分别进行第一导电类型的离子注入，形成栅极引出端和衬底引出端； 第6步，淀积介电层并刻蚀形成接触孔，在接触孔中填充源极金属电极、栅极金属电极、漏极金属电极和衬底极金属电极。2.根据权利要求1所述的高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。3.根据权利要求1所述的高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。4.根据权利要求1所述的高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，在第4步和第5步之间，在硅片表面生长一栅氧化层，其上淀积一层多晶硅，刻蚀多晶硅和栅氧化层形成位于隔离结构之上的漏端多晶硅场板。5.根据权利要求1所述的高压结型场效应管的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁开明，董科，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：