温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高压结型场效应管的结构及制造方法，具第一导电类型的硅衬底上形成具有第二导电类型的阱区，阱区内具有漂移区和体区，漂移区耐高压，体区是结型场效应管的沟道区；漂移区内形成具第一导电类型的反型层，反型层一端上有隔离结构，沟道区外侧形...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。