鳍式场效应管的结构及形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：依次在基底表面形成硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述基底表面；在所述第二开口内形成牺牲层，所述牺牲层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；去除所述图案层，形成与所述侧墙相对应的两个第一子鳍部；去除所述硬掩膜层，形成与所述第一子鳍部齐平的绝缘层；形成位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部；去除所述绝缘层和牺牲层，形成位于所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间的空腔。本发明专利技术实施例的鳍式场效应管的器件性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，随着工艺节点逐渐减小，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，来获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种常见的多栅器件，图1示出了现有技术的一种鳍式场效应晶体管的立体结构示意图。如图1所示，包括半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有凸出的鳍部14，鳍部14 一般是通过对半导体衬底10刻蚀后得到的；介质层11，覆盖所述半导体衬底10的表面以及鳍部14的侧壁的一部分；栅极结构12，横跨在所述鳍部14上，覆盖所述鳍部14的顶部和侧壁，栅极结构12包括栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层上的栅电极(图中未示出)。对于Fin FET，鳍部14的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构12相接触的部分都成为沟道区，即具有多个栅，有利于增大驱动电流，改善器件性能。然而随着工艺节点的进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应管的结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面鳍部，所述鳍部包括两个位于所述基底表面、且相互分立的第一子鳍部，及位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部，所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间存在空腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：