半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区，其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。通过在栅区两侧形成有具有应力结构的源区和漏区，并且在沿沟道方向上源区的宽度大于漏区的宽度，这样，由于源区的面积增大，则大大增加了源区的应力积累，而在形成器件的空间有限时，源区的应力增大能够大大增加载流子在沟道中的迁移率，从而提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，为了追求更高的集成度来降低制造成本，器件的尺寸不断的缩小，但随着器件特征尺寸不断减小，器件的物理性能和工艺技术已经接近了极限。对于MOSFET器件，现有的工艺中，是在有源区上形成栅区，并在栅区两侧形成对称的源极区和漏极区，通过栅源极间的电场来控制载流子在沟道运动的。由于形成器件的有源区空间不断减小，尤其是进入150nm工艺节点以下，作用到器件的应力也不断减小，而且还需要通过改变沟道掺杂的浓度来控制短沟道效应的问题，这些都会导致器件沟道中载流子迁移率的下降，使器件的性能受到影响。因此，在提高器件集成度的同时，如何在现有条件下提高器件的性能显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体器件及其制造方法，通过提高器件沟道的应力，从而提高器件的性能。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种半导体器件的制造方法，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区；其中，在沿所述栅区的长度方向上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区；其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区；其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度，以使源区的应力大于漏区的应力。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述应力结构为SiGe或Si:C。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于源区和漏区与栅区之间的半导体中的源漏延伸区和/或halo区。4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括：源区和漏区上的接触塞，其中，源区上的接触塞较漏区上的接触塞具有更大的接触面积。5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供具有隔离区的半导体衬底，所述隔离区分隔出有源区；在有源区上形成栅区，位于栅区两侧的有源区的宽度不同，以及刻蚀栅区之外的有源区，以在栅区两侧、沿栅区长度方向上形成宽度不同的凹槽，以及在所述凹槽中形成具有应力结构的源区和漏区，其中，所述源区形成于宽度大的凹槽中。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，通过选择性外延在所述凹槽中形成具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，骆志炯，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：