温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅区；在栅区相对两侧的半导体衬底中的具有应力结构的源区和漏区，其中，在沿所述栅区的长度方向上，所述源区的宽度大于漏区的宽度。通过在栅区两侧形成有具有应力结构的源区和漏区，并且在沿...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。