【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
对于用于电力控制的半导体装置，要求对高电压具有耐性和为了抑制电力损失而降低导通电阻。另一方面，半导体装置中的高耐压化和导通电阻的降低是要求相反物性的请求，该设计中存在权衡取舍(trade-off)。 例如，60 250V系的功率MOSFET也是，相对于漏极 源极间电压Vdss及导通电阻R-而言，漂移层的电阻占主导地位。而且，通过在漂移层中使用低浓度的外延层(epitaxial layer)虽然能够提高耐压,但会导致导通电阻增大。因此，一直在研究同时实现高耐压和低导通电阻的新颖的构造。然而，具有其构造变得复杂而制造成本增大的倾向。因此，需要有能够同时实现高耐压和低导通电阻且容易制造的半导体装置。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够同时实现高耐压和低导通电阻且容易制造的。实施方式所涉及的半导体装置具备第一导电型的半导体层；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述半导体层之上；以及第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面。并且，在所述半导体层设置的沟槽的内部，第一控制电极，隔着绝缘膜与所述第一半导体区域及所述...
【技术保护点】
一种半导体装置，其中，具备：第一导电型的半导体层；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述半导体层之上；第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面；第一控制电极，在沟槽的内部隔着绝缘膜与所述第一半导体区域及所述第二半导体区域对置，该沟槽贯穿所述第一半导体区域而到达所述半导体层，其底面位于比所述第一半导体区域深的位置；第二控制电极，朝向所述沟槽的所述底面延伸，位于比所述第一控制电极靠近所述底面侧的位置；第一主电极，与所述第一半导体区域和所述第二半导体区域电连接；以及第二主电极，与所述半导体层电连接，所述半导体层具有第一部分，该第一部分设置在所述第一半导体...
【技术特征摘要】
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