半鳍式FET半导体器件及相关方法技术

本发明专利技术公开了一种半鳍式FET半导体器件及相关方法。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体器件包括形成于半导体主体上方的栅极结构。半导体主体包括由延伸超过栅极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和栅极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区。连续漏极区使半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。制造具有半鳍式FET结构的半导体器件的方法，包括：在半导体主体内指定源极和漏极区、蚀刻源极区以产生多个源极鳍，同时在蚀刻期间掩膜漏极区以提供连续漏极区，从而使得半鳍式FET结构具有降低的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
半鳍式FET半导体器件及相关方法
本专利技术大体上涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及半导体晶体管制造领域。技术背景互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术由于具有诸多优势而在半导体行业得到广泛应用。例如，与CMOS器件相关的高密度、低能耗以及相对的噪声抗扰性使其适于在集成电路(IC)中实现，例如，为现代电子系统提供控制逻辑。然而，标准的CMOS晶体管通常是低电压器件。结果，例如，诸如电力开关和电压调节的电力应用通常由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高功率转换而进行，该MOSFET诸如是通常在IC晶圆上与CMOS逻辑器件并排形成的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS )器件。不足为奇的是，LDMOS器件性能的一个重要量度标准是其击穿电压，优选地，击穿电压应该较高。LDMOS性能的另一个重要量度标准是其导通电阻或Rdson，优选地，导通电阻应该较低。由于器件尺寸在连续不断地缩小，所谓的短沟道效应(诸如沟道漏电)即使在晶体管名义上断开时也会产生不期望的功率损耗。为了试图降低或基本上消除标准CMOS 晶体管中的断态漏电，CMOS制造越来越倾向于鳍式场效应晶体管(FinF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半鳍式FET半导体器件，包括：栅极结构，形成于半导体主体上方；所述半导体主体包括由延伸超过所述栅极结构的第一侧的多个鳍构成的源极区；所述半导体主体还包括与所述栅极结构的与所述多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区；其中，所述连续漏极区使得所述半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈向东，夏维，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：