薄膜晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。采用氮化物半导体作为沟道层，可以提高薄膜晶体管的性能的稳定性，以提升薄膜晶体管的质量。本发明专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的结构及制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管的结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，由于半导体工艺技术的进步，薄膜晶体管的制造愈趋快速。薄膜晶体管广泛应用于诸如电脑芯片、手机芯片或是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal displayer, TFT LCD)等电子产品中。以薄膜晶体管液晶显示器为例,薄膜晶体管即作为储存电容(storage capacity)充电或放电的开关。现有的薄膜晶体管依照有源层的材料可分为非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)以及多晶娃薄膜晶体管(Polycrystalline Thin Film Transistor)。然而，为了应对市场对于液晶显示器的需求激增，新的薄膜晶体管技术研发也有更多的投入。其中，已研发出一种以比如氧化锌(ZnO)等透明导电金属氧化物为有源层的薄膜晶体管，其电性特性已优于现有的非晶硅薄膜晶体管，从而可大大提高薄膜晶体管的反应速度，且在元件的表现上也已经有相当不错的成果。然而以氧化锌作为有源层的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，其特征在于：所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾坚信，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：