光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件制造技术

本发明专利技术提供了一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的顶栅保护电极。依照本发明专利技术的TFT器件，在器件有源区顶部形成高紫外吸收的透明导电材料可以有效过滤环境、主动光源的紫外光对沟道的导电影响，提高器件长期稳定性，同时利用顶栅电极的功耗数差导致的静电势排斥背沟道的导电电荷，削弱背沟道表面损伤、缺陷对器件长期稳定性的影响。与此同时ITO顶栅电极与驱动OLED与LCD的ITO下电极共用一层Mask，无额外附加材料电极与图形化工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别是涉及一种光照下高稳定性非晶态金属氧化物薄膜晶体管(TFT)器件结构以及应用了该TFT的显示器件，属于平板显示器件技术。
技术介绍
有源阵列有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light Emitting Diodes,AMOLED)显示具有移动图像响应时间短、色彩鲜艳、对比度高、视角广以及低功耗、超轻超薄等优异特性，被视为取代当前占据主流地位的有源液晶显示(AMIXD)成为下一代主流显示的核心技术平台。成功研制高分辨率主流尺寸的AMOLED显示面板主要涉及到TFT驱动基板性能、OLED材料特性与显示模组的封装技术等三个技术研究领域。因为OLED发光的基 本原理决定了发光亮度变化受驱动电流大小的控制，并接近正比关系，所以如何制备能提供较大、并且稳定与均匀电流驱动的TFT基板成为当前AMOLED显示领域重要的研究课题。工艺简单、均匀性好的非晶硅(a-Si) TFT是制备大尺寸AMIXD的主流技术。但是由于沟道迁移率低(< lcm2/V -s)、器件长期稳定性差，a-Si TFT很难实际应用于驱动AMOLED显示的基板中。改本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的顶栅保护电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，王玉光，董立军，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：