薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，尤其涉及沟道保护型的薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
近年来，作为与液晶显示器不同的下一代平板显示器之一的利用了有机材料的电致发光(EL :Electro luminescence)的有机EL显示器受到注目。在有机EL显示器等有源矩阵方式的显示装置中，使用被称为薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)的薄膜半导体器件。特别是，有机EL显示器是与电压驱动型的液晶显示器不同的电流驱动型的显示设备，急待开发作为有源矩阵方式的显示装置的驱动电路而具有优异的导通截止特性的薄 膜晶体管。薄膜晶体管的结构是在基板上形成有栅电极、半导体层(沟道层)、源电极以及漏电极的结构，通常在沟道层使用硅薄膜。另外，对显示设备要求大画面化以及低成本化，作为能易于低成本化的薄膜晶体管，通常使用栅电极相对于沟道层形成在基板侧的底栅型薄膜晶体管。底栅型薄膜晶体管大致分为蚀刻沟道层的沟道蚀刻型的薄膜晶体管和保护沟道层免受蚀刻处理的沟道保护型(蚀刻阻止型)的薄膜晶体管这两类。与沟道保护型的薄膜晶体管相比，沟道蚀刻型的薄膜晶体管能够削减光刻工序数，具有能抑制制造成本的优点。另一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：岸田悠治，川岛孝启，钟之江有宣，河内玄士朗，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，松下液晶显示器株式会社，
类型：
国别省市：