【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种。
技术介绍
金属氧化物半导体晶体管(Metal Oxide Semiconductor Transistor)是利用金属氧化物为半导体层的晶体管。相较于非晶硅薄膜晶体管，金属氧化物半导体晶体管具有较高的载子迁移率(Mobility)，因此金属氧化物半导体晶体管拥有较佳的电性表现。此外，也比低温多晶硅薄膜晶体管简单，所以金属氧化物半导体晶体管亦具有较高的生产效能。 在制造金属氧化物半导体的方法中，未经退火(Unannealed)的金属氧化物层所制作的晶体管的电性表现并不稳定。图I绘示在漏极电压为20V的条件下，连续测量六次上述晶体管的栅极电压与漏极电流的关系曲线图。如图I所示，每次测量的栅极电压与漏极电流的关系曲线都不相同，且明显有临界电压偏移的现象。临界电压的差异高达9. 36V。为改善上述问题，业界利用温度高达350°C以上的退火制程来改善晶体管的稳定性。但是，在高温下进行退火制程，容易造成热应力效应，导致金属氧化物半导体晶体管变形。因此，目前极需要一种改良的制造方法，期能降低退火制程的温度，并且能使金属氧化物半导体晶体管具有稳定的电性...
【技术保护点】
一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成一栅极于一基板上；形成一栅极绝缘层覆盖该栅极；形成一图案化金属氧化物半导体层于该栅极绝缘层上，该图案化金属氧化物半导体层具有一通道区；形成一源极及一漏极于该图案化金属氧化物半导体层上，其中该源极与该漏极间的一间隙露出该通道区；形成一迁移率增强层于该通道区上，其中该迁移率增强层不接触该源极及该漏极；以及在温度为约200℃至约350℃的环境中，对该金属氧化物半导体层及该迁移率增强层进行一退火制程。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冉晓雯，蔡娟娟，叶隽正，陈良豪，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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