【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。注意，本说明书中的半导体器件指的是能通过利用半导体特性而工作的所有电子器件，因此电光器件、半导体电路及电子器件都是半导体器件。
技术介绍
近年来，通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管的技术受到瞩目。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(1C)、图像显示器件(显示器件)等电子器件。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜的材料，已知有基于硅的半导体材料；然而，作为另一材料，氧化物半导体受到瞩目。例如，公开了其活性层使用包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)且其电子载流子浓度低于IO1Vcm3的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献I)。虽然包括氧化物半导体的晶体管的工作速度比包括非晶硅的晶体管的工作速度快，且与包括多晶硅的晶体管相比更容易制造，但是，已知包括氧化物半导体的晶体管具有因电特性容易变动而导致其可靠性低的问题。例如，在光照射或偏压-温度应力试验(BT 试验)之后，晶体管的阈值电压变动。注意，在本说明书中，阈值电压是指为了使晶体管变为“导通状态”所必需的栅电压。栅电压指以源极的电位为基准时的源极与栅极之间的电位差。日本专利申请公开200...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，远藤佑太，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：
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