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本发明的一个实施方式的目的是制造一种电特性的变动小且可靠性高的半导体器件，其中包括使用氧化物半导体的晶体管。在包括氧化物半导体层的晶体管中，在顶栅结构的情况下使用氧过剩的氧化硅（SiOx（X>2））作为基底绝缘层。通过使用氧过剩的氧化硅，氧...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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