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本发明是提供一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括下列步骤。在基板上依序形成栅极、栅极绝缘层、图案化金属氧化物半导体层、源极和漏极。在图案化金属氧化物半导体层上形成迁移率增强层。在温度为约200℃至约350℃的环境中，对金属氧化物半导体...
该专利属于元太科技工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过元太科技工业股份有限公司授权不得商用。

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