薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，涉及显示领域，可在不影响开口率的情况下，增大TFT的沟道宽度并且降低栅漏之间的寄生电容，从而降低像素电压的浮动，提升显示效果。本发明专利技术所述薄膜晶体管包括：有源层；刻蚀阻挡层，覆盖于有源层之上；源电极和漏电极，位于刻蚀保护层之上；刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔，所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合；源电极通过U形过孔与下层的有源层连接，漏电极通过圆形过孔与下层的有源层连接。所述阵列基板和显示装置设置有所述的薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管及其制作方法，设置有该薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。
技术介绍
TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上能超过CRT (Cathode Ray Tube,阴极射线管)的显示器件，已成为显示领域的主流产品。TFT液晶屏是在每个像素点上设计一个TFT，通过该TFT来对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应时间。铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)是新一代用于TFT有源层的材料，其载流子迁移率是非晶硅的20 30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速 率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率。使用a-Si作为有源层时，直接在有源层之上制备金属电极层，再通过刻蚀(一般指湿法刻蚀)形成需要的源、漏电极形状；而使用IGZO作为有源层时，因IGZO不像a-Si那样耐腐蚀，在进行源、漏电极刻蚀的过程中容易造成IGZO层的损伤，所以需要先在IGZO有源层上制备刻蚀阻挡层以保护IGZO层，再制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：有源层；刻蚀阻挡层，覆盖于所述有源层之上；源电极和漏电极，位于所述刻蚀阻挡层之上；其特征在于，所述刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔，所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合；所述源电极通过所述U形过孔与下层的所述有源层连接，所述漏电极通过所述圆形过孔与下层的所述有源层连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：