半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法。本发明专利技术的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括氧化物半导体的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
如同在液晶显示器件中通常见到的那样，利用非晶硅或多晶硅制造形成在诸如玻璃基板的平板上的薄膜晶体管。利用非晶硅制造的薄膜晶体管具有低场效应迁移率，但是该晶体管可形成在面积较大的玻璃基板上。另一方面，利用晶体硅制造的薄膜晶体管具有高场效应迁移率，但是需要诸如激光退火的结晶步骤，并且该晶体管不总是适于较大的玻璃基板。·相比之下，人们已经开始关注以下技术，通过该技术利用氧化物半导体制造薄膜晶体管，并将薄膜晶体管应用于电子器件或光学器件。例如，专利文献I和专利文献2均公开了一种技术，通过该技术利用氧化锌或基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体制造薄膜晶体管，氧化锌或基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体形成氧化物半导体膜，并且用于图像显示器件的开关元件等。参考文献专利文献I日本公开专利申请No.2007-1238专利文献2日本公开专利申请No.2007-9605
技术实现思路
在沟道形成区域中包括氧化物半导体的薄膜晶体管比包括非晶硅的薄膜晶体管具有更高的场效应迁移率。氧化物半导体膜可在300°C或以下通过喷溅法等形成，并且包括氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：栅极电极层；在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上的第一氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜包括氧和金属；以及在所述第一氧化物半导体膜之上的源极电极层和漏极电极层，所述源极电极层和所述漏极电极层中的每一个包括彼此相对的内边缘，其中所述第一氧化物半导体膜包括与所述源极电极层的内边缘重叠的第一区域、与所述漏极电极层的内边缘重叠的第二区域、以及在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，其中所述第三区域的厚度比所述第一区域和所述第二区域的厚度薄，其中所述第三区域包括与所述源极电极层和所述漏极电极层的内边缘中的一个相邻的倾斜表面，并且其中所述倾斜表面的锥角小于所...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤俊一，细羽幸，須沢英臣，笹川慎也，村冈大河，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：