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本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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