显示器、制造显示器的方法以及电子设备技术

本发明专利技术涉及显示器、制造显示器的方法以及电子设备。该显示器包括树脂、晶体管；以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置以抑制入射到晶体管上的光。为了抑制晶体管特性的劣化，防止光进入用作有源层的氧化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
显示器、制造显示器的方法以及电子设备
本公开涉及到采用有源层由氧化物半导体制成的薄膜晶体管（TFT）的显示器以及制造该显示器的方法。
技术介绍
作为基础技术，TFT被广泛应用到液晶显示器、有机EL显示器等。通常，用作TFT有源层的半导体层由非晶硅（a-Si：H）或多晶硅制成，但是近年来，可采用磁控溅射法等廉价设备形成的诸如金属氧化物的氧化物半导体也用于形成这样的半导体层。然而，如果光（特别是420nm或更短的紫外光）照射在由氧化物半导体制成的半导体层上，由于光诱导可能改变其TFT特性，或更具体地讲，其阀值电平电压（Vth）可能偏移到负（-）方向。为了解决这个问题，例如，日本未审查专利申请公布No.2007-115902公开了采用在基板背面设置的遮光膜的TFT。此外，例如，日本未审查专利申请公布No.2009-224354公开了采用在栅极和有源层之间设置的光吸收层的底栅型TFT，以及日本未审查专利申请公布No.2007-150157公开了采用由波长比带隙能量短的光的透光率为10%或者更小的材料制成的基材（基板）的TFT。
技术实现思路
利用上面提到的公开于日本未审查专利申请公布号2007-115902、2009-224354以及2007-150157的TFT，可遮蔽来自基板背侧的入射到有源层上的光；然而，可能不能充分地遮蔽从基板侧方向照射的光。近年来，期望在显示器中，尤其是移动显示器，具有较窄的框，并且设置在周边区（框区）中的端子部和设置在显示区（像素区）中的像素之间的距离被显著地缩短。在这种情况下，问题是，从框区侧（即倾斜方向）的照射光进入TFT的半导体层（氧化物半导体层），导致TFT特性的劣化。期望提供防止光进入到用作有源层的氧化物半导体层以抑制TFT特性劣化的显示器和电子设备，以及显示器的制造方法。根据本技术的实施方式，所提供显示器包括树脂、晶体管、以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置为用于抑制晶体管上的入射光。根据本技术的实施方式，提供制造显示器的方法。该方法包括形成树脂、晶体管以及遮光材料。遮光材料位于树脂和晶体管之间，并且遮光材料被配置为用于抑制薄膜晶体管上的入射光。根据本技术的实施方式，提供的电子设备包括树脂、晶体管、以及位于树脂和晶体管之间的遮光材料。遮光材料被配置为用于抑制晶体管上的入射光。在根据本技术实施方式的显示器、制造显示器的方法以及电子设备中，在形成薄膜晶体管和发光器件之后，薄膜晶体管的侧面、发光器件的侧面、以及发光器件顶面的一部分被遮光膜所覆盖。这样，从斜向（尤其是从框区）进入薄膜晶体管的光被遮蔽。此外，因为薄膜晶体管的侧面、发光器件的侧面、以及发光器件顶面的一部分被遮光膜所覆盖，所以可以遮蔽来自斜向的光，尤其是来自框区的光，由此可以抑制薄膜晶体管特性的劣化。应理解，上述的总体描述和以下的详细描述是示例性的，并且旨在对所要求保护的技术提供进一步的说明。附图说明所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解，其合并到本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，并且连同说明书一起用于说明本技术原理的实施方式。图1示出了根据本公开的实施方式的显示器的示例性构造的截面图。图2A和图2B是图1中示出的显示器的平面图。图3A到图3C是示出了材料的紫外线透过率的特性图。图4是示出了紫外照射量和阈值电平之间关系的特性图。图5是图1中示出的显示器的框图。图6是图5中示出的显示器的示例性像素驱动电路的图。图7是图1中示出的显示器一部分的截面图。图8是示出了图1中示出的制造显示器的方法的流程图。图9A到图9D按工序顺序地示出了图8中示出的制造方法的截面图。图10A到图10D示出了继图9D的工序之后的工序的截面图。图11A到图11C示出了继图10D的工序之后的工序的截面图。图12是根据比较例的TFT的特性图。图13是根据比较例的显示器的示意图。图14是根据本公开实施方式的显示器的TFT的特性图。图15是示出了包括实施方式的显示器的模块的示意性构造的平面图。图16示出了应用例1的外观的透视图。图17A示出了当从前侧来观察时应用例2的外观的透视图，而图17B示出了当从背侧来观察时应用例2的外观的透视图。图18示出了应用例3的外观的透视图。图19示出了应用例4的外观的透视图。图20A是应用例5在打开状态下的正视图，图20B是其侧视图，图20C是折叠状态下的正视图，图20D是左视图，图20E是右视图，图20F是俯视图，图20G是底视图。具体实施方式将参考图来详细地描述本公开的实施方式。要注意的是，将以下面的顺序给出描述。1.实施方式1-1.总体构造1-2.显示器的总体构造1-3.制造方法2.应用例1.实施方式（1-1.总体构造）图1示出了根据本公开的实施方式的显示器1的一部分的截面构造。在显示器1中，在基板11的像素区2上，多个像素（未示出）矩阵状（格子状）地排列。像素包括红色像素R、绿色像素G以及蓝色像素B，线状地排列各个颜色。每个像素（R、G、以及B）设置有输出相应颜色的有机EL器件20（发光器件）。在用于器件的驱动的薄膜晶体管10上形成各个有机EL器件20。要注意的是，在这种情况下，红色像素R、绿色像素G、以及蓝色像素B的组合配置成一个显示像素（像素）。框区3设置在像素区2的周围，端子部4设置在框区3的周边部。在本实施方式的显示器1中，如图1和图2A所示，在框区3（在像素区2和端子部4之间）中设置遮光膜5。遮光膜5由通过散射或吸收光（尤其是具有420nm或更短波长的光（紫外光））而具有遮光功能的材料制成。遮光膜5形成为覆盖在像素区2中设置的TFT10以及有机EL器件20的侧面以及有机EL器件20的顶面的一部分。因此，在稍后描述的显示器1的制造过程中，在对端子部4设置防水加强材料35A和35B的时候所输出的紫外（UV）光向TFT的入射被抑制。在本实施方式中，遮光膜5（5A和5B；参见图10）不仅设置在TFT10的侧面、有机EL器件20的侧面以及有机EL器件20的顶面的一部分，还设置在从TFT10的端部延伸形成的并构成有机EL器件20的层上，从而将有机EL器件20夹在中间。应注意的是，这不是限制性的，并且，例如，如果遮光膜5被设置为覆盖有机EL器件20的至少部分顶面或侧面、以及从有机EL器件20的侧面到基板11的进一步的延伸线，则可抑制上述TFT10上的紫外光的入射。此外，如图2B中所示，在本实施方式中，在遮光膜5的表面（参见图1，在基板11上和有机EL器件20的顶面上）上设置一个或多个凹部5a。通过设置这种凹部5a，除了由构成遮光膜5的材料的特性所提供的对紫外光的遮光功能之外，还外加了通过形状（或凹部5a）所提供的反射功能，由此更加确保了遮蔽从斜向到TFT10上的紫外光入射。构成遮光膜5的材料的实例是氧化钛（TiO2）以及氧化锌（ZnO）。一般金属诸如铝（Al）、铜（Cu）、钨（W）、金（Au）、钽（Ta）、钴（Co）及其硅化物也可以用作遮光膜5。也可以使用诸如氮化钛（TiN）和氮化钽（TaN）的阻挡金属（barriermetal）。只要获得上述对紫外光的遮光功能，也可以使用其他材料。此外，遮光膜5可包括具有遮光功能的材料之外的材料。遮光膜5的膜厚度优选为380nm或以上。例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器，包括：树脂；晶体管；和位于所述树脂和所述晶体管之间的遮光材料，其中，所述遮光材料被配置用于抑制所述晶体管上的入射光。

【技术特征摘要】
2011.08.22 JP 2011-1807781.一种显示器，包括：晶体管，设置在像素区中；遮光材料，设置在所述像素区的外侧，至少部分所述遮光材料相对于所述晶体管横向设置，以覆盖所述晶体管的至少一部分侧面，用于抑制光入射到所述晶体管上；和树脂，设置在所述像素区和所述遮光材料的外侧，使得所述遮光材料位于所述晶体管和所述树脂之间，其中所述遮光材料包括设置在所述遮光材料的外部的光入射侧上的多个凹部。2.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述晶体管是薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述晶体管包括氧化物半导体。4.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件，其中，所述发光器件设置在像素区中，并且其中，所述遮光材料在所述像素区的周边。5.根据权利要求4所述的显示器，其中，所述遮光材料覆盖面对所述显示器的周边的所述晶体管的侧面，并覆盖面对所述显示器的周边的所述发光器件的侧面。6.根据权利要求1所述的显示器，还包括发光器件，其中，所述遮光材料覆盖所述发光器件的上侧。7.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和绝缘层，在所述发光器件和所述晶体管之间，其中，所述遮光材料设置在所述绝缘层的侧面。8.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和保护层，设置在所述发光器件上方，其中，所述遮光材料设置在所述保护层的上侧和周边侧中的至少一侧。9.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述遮光材料是氧化钛和氧化锌中的至少一种。10.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和接触层，与所述发光器件和所述晶体管接触，其中，所述遮光材料是在等于或高于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中平忠克，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：