显示器、制造显示器的方法以及电子设备技术
【技术实现步骤摘要】
显示器、制造显示器的方法以及电子设备
本公开涉及到采用有源层由氧化物半导体制成的薄膜晶体管（TFT）的显示器以及制造该显示器的方法。
技术介绍
作为基础技术，TFT被广泛应用到液晶显示器、有机EL显示器等。通常，用作TFT有源层的半导体层由非晶硅（a-Si：H）或多晶硅制成，但是近年来，可采用磁控溅射法等廉价设备形成的诸如金属氧化物的氧化物半导体也用于形成这样的半导体层。然而，如果光（特别是420nm或更短的紫外光）照射在由氧化物半导体制成的半导体层上，由于光诱导可能改变其TFT特性，或更具体地讲，其阀值电平电压（Vth）可能偏移到负（-）方向。为了解决这个问题，例如，日本未审查专利申请公布No.2007-115902公开了采用在基板背面设置的遮光膜的TFT。此外，例如，日本未审查专利申请公布No.2009-224354公开了采用在栅极和有源层之间设置的光吸收层的底栅型TFT，以及日本未审查专利申请公布No.2007-150157公开了采用由波长比带隙能量短的光的透光率为10%或者更小的材料制成的基材（基板）的TFT。
技术实现思路
利用上面提到的公开于日本未审查专利...
【技术保护点】
一种显示器，包括：树脂；晶体管；和位于所述树脂和所述晶体管之间的遮光材料，其中，所述遮光材料被配置用于抑制所述晶体管上的入射光。
【技术特征摘要】
2011.08.22 JP 2011-1807781.一种显示器，包括：晶体管，设置在像素区中；遮光材料，设置在所述像素区的外侧，至少部分所述遮光材料相对于所述晶体管横向设置，以覆盖所述晶体管的至少一部分侧面，用于抑制光入射到所述晶体管上；和树脂，设置在所述像素区和所述遮光材料的外侧，使得所述遮光材料位于所述晶体管和所述树脂之间，其中所述遮光材料包括设置在所述遮光材料的外部的光入射侧上的多个凹部。2.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述晶体管是薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述晶体管包括氧化物半导体。4.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件，其中，所述发光器件设置在像素区中，并且其中，所述遮光材料在所述像素区的周边。5.根据权利要求4所述的显示器，其中，所述遮光材料覆盖面对所述显示器的周边的所述晶体管的侧面，并覆盖面对所述显示器的周边的所述发光器件的侧面。6.根据权利要求1所述的显示器，还包括发光器件，其中，所述遮光材料覆盖所述发光器件的上侧。7.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和绝缘层，在所述发光器件和所述晶体管之间，其中，所述遮光材料设置在所述绝缘层的侧面。8.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和保护层，设置在所述发光器件上方，其中，所述遮光材料设置在所述保护层的上侧和周边侧中的至少一侧。9.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述遮光材料是氧化钛和氧化锌中的至少一种。10.根据权利要求1所述的显示器，还包括：发光器件；和接触层，与所述发光器件和所述晶体管接触，其中，所述遮光材料是在等于或高于所...
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