半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：配置于基板(1)的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层(2)、配置于半导体层(2)且具有底面及侧面的沟槽(5)、配置于沟槽(5)的底面及侧面上的绝缘区域(11)、以及配置于沟槽(5)内且通过绝缘区域(11)而与半导体层(2)绝缘的导电层(7)，绝缘区域(11)包括：配置于沟槽(5)的底面及侧面上的栅极绝缘膜(6)；和在沟槽(5)的底部配置于栅极绝缘膜(6)与导电层(7)之间的空隙(10)，栅极绝缘膜(6)在沟槽(5)侧面的一部分上与导电层(7)相接、而在沟槽(5)底面上与导电层(7)并不相接，从沟槽(5)的底面到导电层(7)的下表面为止的绝缘区域(11)的厚度，在沟槽的中央部要比沟槽的所述侧面附近大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用了宽带隙半导体的半导体装置，涉及具有沟槽栅极(trenchgate)结构的MIS型。
技术介绍
宽带隙半导体被应用于功率元件(也称为功率器件)、耐环境元件、高温动作元件、高频元件等各种半导体装置中。其中，向开关元件或整流元件等功率器件的应用备受关注。 由于SiC基板的制造比较容易、通过SiC的热氧化可形成优质的栅极绝缘膜、即氧化硅(SiO2),所以在宽带隙半导体中使用了碳化硅>力一/SM F SiC)的功率器件(SiC功率器件)的开发正在盛行。作为使用了 SiC的功率器件的典型的开关元件，有金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor、以下称为 “MISFET”)、金属-半导体场效应晶体管(Metal Semiconductor Field EffectTransistor、以下称为“MESFET”)等的场效应晶体管。在这种开关元件中，根据施加于栅电极-源电极间的电压，可以切换流过几A(安培)以上的漏极电流的导通状态和漏极电流为零的截止状态。再有，在截止状态之时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：空田晴之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：