功率MOSFET、IGBT和功率二极管制造技术

通过深沟槽填充方式生产的超结MOSFET要求无缝填充外延生长。这可要求深沟槽的平面取向沿指定的方向对齐。具体而言，当芯片角部分的柱布图关于芯片角之间的对角线双侧不对称时，由于芯片角处的柱不对称，阻塞状态下的等势线在角部分弯曲。这往往导致等势线变得密集的点，这可引起击穿电压下降。本发明专利技术中，在诸如功率MOSFET之类的功率型半导体有源元件中，环形场板设置在围绕有源单元区等的芯片外围区中，呈现近矩形的形状。所述场板在沿着所述矩形边的部分的至少一部分中具有欧姆接触部分。然而，在对应于所述矩形的角部分的部分中，并不设置欧姆接触部分。

【技术实现步骤摘要】
功率MOSFET、IGBT和功率二极管相关申请的交叉引用2011年8月12日提交的日本专利申请第2011-176794号的公开内容(包括说明书、附图及摘要)通过引用全部并入本文。
本专利技术涉及半导体器件(或半导体集成电路器件)中可有效应用于单元外围布图技术的工艺或击穿电压改进技术。
技术介绍
日本专利公开第2007-116190号(专利文献1)或其同族专利美国专利第2005-098826号(专利文献2)公开了关于具有超结结构的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的单元区域外围布图(边缘终端结构)的各种结构，所述超结结构由多外延方式或深沟槽绝缘膜填充方式(深沟槽内部离子注入方式)生产。其例子包括P-降低表面电场(resurf)区域，以及具有圆角部分并且呈现为大体矩形形状的电势固定电极。日本专利公开第2011-108906号(专利文献3)主要公开了一种通过深沟槽填充方式制成的二维或三维超结型单元区域外围布图(边缘终端结构)。[专利文献1]日本专利公开第2007-116190号[专利文献2]美国专利第2005/098826号A1[专利文献3]日本专利公开第2011-10890本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率MOSFET，该功率MOSFET包括：(a)源极，所述源极在半导体基底的第一主表面上形成，所述半导体基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈现矩形的形状；(b)第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区设置在所述半导体基底的所述第一主表面侧的整个表面上的半导体表面区中；(c)有源单元区、沿所述有源单元区的每一边且在其外部设置的多个外围边区以及在所述有源单元区的每一角部分的外部设置的多个外围角区，其中所述有源单元区设置在所述第一主表面上中央部分处，在取向上与所述半导体基底相同，并且具有矩形的形状；以及(d)环形场板，所述环形场板以围绕所述有源单元区的方式设置在所述第一主表面上，其中，在所...

【技术特征摘要】
2011.08.12 JP 2011-1767941.一种功率MOSFET，该功率MOSFET包括：(a)源极，所述源极在半导体基底的第一主表面上形成，所述半导体基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈现矩形的形状；(b)第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区设置在所述半导体基底的所述第一主表面侧的整个表面上的半导体表面区中；(c)有源单元区、沿所述有源单元区的每一边且在其外部设置的多个外围边区以及在所述有源单元区的每一角部分的外部设置的多个外围角区，其中所述有源单元区设置在所述第一主表面上中央部分处，在取向上与所述半导体基底相同，并且具有矩形的形状；以及(d)环形场板，所述环形场板以围绕所述有源单元区的方式设置在外围超结区中的所述第一主表面上，其中，在所述外围边区的至少一个中，所述场板在所述半导体表面区与该场板自身之间具有欧姆接触部分，并且在所述外围角区的任一个中，所述场板在所述半导体表面区与该场板自身之间不具有欧姆接触部分。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET，其中，所述半导体基底为硅型半导体基底。3.根据权利要求2所述的功率MOSFET，该功率MOSFET还包括：(e)超结结构，所述超结结构设置在所述半导体基底的整个表面中，其中，所述半导体基底的整个表面为所述漂移区。4.根据权利要求3所述的功率MOSFET，其中，所述场板包括铝型布线层。5.根据权利要求4所述的功率MOSFET，其中，所述外围边区中的超结结构具有二维降低表面电场结构。6.根据权利要求4所述的功率MOSFET，其中，所述外围边区中的超结结构具有三维降低表面电场结构。7.一种IGBT，该IGBT包括：(a)发射极和栅极，所述发射极和栅极在半导体基底的第一主表面上形成，所述半导体基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈现矩形的形状；(b)第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区设置在所述半导体基底的第一主表面侧的整个表面上的半导体表面区中；(c)有源单元区、沿所述有源单元区的每一边且在其外部设置的多个外围边区以及在所述有源单元区的每一角部分的外部设置的多个外围角区，其中所述有源单元区设置在所述第一主表面上中央部分处，在取向上与所述半导体基底相同，并且具有矩形的形状；以及(d)环形场板，所述环形场板以围绕所述有源单元区的方式设置在外围超...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉城朋宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：