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通过深沟槽填充方式生产的超结MOSFET要求无缝填充外延生长。这可要求深沟槽的平面取向沿指定的方向对齐。具体而言，当芯片角部分的柱布图关于芯片角之间的对角线双侧不对称时，由于芯片角处的柱不对称，阻塞状态下的等势线在角部分弯曲。这往往导致等势...
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