本发明专利技术公开一种片式功率二极管设计工艺，属于半导体设计工艺，包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。采用微型台面GPP玻璃钝化工艺，芯片设计工作结温为150℃，此工作结温完全能满足于绿色照明领域的应用，0.3A规格的芯片尺寸可以缩小到32mil，能广泛满足于目前20W以下绿色照明的应用需求。?
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体设计工艺，特别是涉及一种片式功率二极管设计工艺。
技术介绍
功率型二极管主要包括肖特基二极管、快恢复二极管和工频二极管等。随着电子产品的轻薄短小，作为基础元器件的功率二极管，也开始了小型化、集成化、高频化的趋势。目前，绿色照明一体化电子镇流器大部分使用的是规格为IA的插件式功率二极管，这是现阶段插件式功率二极管能做到IA规格的最小外形，被绿色照明生产厂家大量的运用。随着绿色照明电子产品小型化的深入发展，市场对功率二极管的要求在不断提高，传统工艺设计的产品已经无法满足其技术提升和产品升级的需要。 在绿色照明领域，规格1AU000V的插件式功率二极管是目前应用最广泛的产品，其芯片钝化主要采用硅橡胶技术。由于硅橡胶钝化工艺的局限性，其设计工作结温小于125°C，在一体化电子镇流器高温环境下其芯片处于临界和超界限工作状态，给产品的稳定性和安全性带来了隐患。有鉴于此，本专利技术人对此进行研究，专门开发出一种片式功率二极管设计工艺，本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种工作结温高、外观尺寸小的片式功率二极管设计工艺。为了实现上述目的，本专利技术的解决方案是 一种片式功率二极管设计工艺，包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。所述片式功率二极管的额定电流为O. 3A-0. 7A。所述片式功率二极管的额定反向重复电压为600V-1000V。所述片式功率二极管的芯片尺寸为32mil_45mil。额定电流为O. 3A的片式功率二极管的芯片有源区尺寸为21mil，为了形成有效的保护环，二次光刻台面镀镍区的尺寸为18mil*18mil，选取光刻线条宽度分别为2、3、4、5mil0扩散条件设计为了保证片式功率二极管足够的台面大小，蚀刻的深度不能过深以减少横向腐蚀。该深度由PN结深和空间扩展区两部分组成，其中空间扩展区的宽度是由雪崩击穿电压所决定，是个定值。因此，为了减少蚀刻深度只能降低PN结深即减少硼扩时间。由于磷结深度主要是通过硼扩而推进，当硼扩时间减少，则需要增加磷扩时间以增加磷结而降低VF。产品评估采用热阻特性测试技术对芯片进行评估。采用微型台面GPP玻璃钝化工艺，芯片设计工作结温为150°C，此工作结温完全能满足于绿色照明领域的应用，O. 3A规格的芯片尺寸可以缩小到32mil，能广泛满足于目前20W以下绿色照明的应用需求。以下结合具体实施例对本专利技术做进一步详细描述。具体实施方式 实施例I 一种片式功率二极管设计工艺，包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。所述片式功率二极管的额定电流为O. 3A，芯片尺寸为32mil。所述片式功率二极管的额定反向重复电压为600V。上述片式功率二极管的芯片有源区尺寸为21mil，为了形成有效的保护环，二次光刻台面镀镍区的尺寸为18mil*18mil，选取光刻线条宽度分别为2、3、4、5mil。扩散条件设计为了保证片式功率二极管足够的台面大小，蚀刻的深度不能过深以减少横向腐蚀。该深度由PN结深和空间扩展区两部分组成，其中空间扩展区的宽度是由雪崩击穿电压所决定，是个定值。因此，为了减少蚀刻深度只能降低PN结深即减少硼扩时间。由于磷结深度主要是通过硼扩而推进，当硼扩时间减少，则需要增加磷扩时间以增加磷结而降低VF。产品评估采用热阻特性测试技术对芯片进行评估。(I)、热阻特性评估 32mil芯片封装的片式功率二极管进行热特性测试，在150°C的最高结温下，芯片允许工作的环境温度TA与结到环境的热阻RJA和额定电流IF(AV)的关系如下表所示权利要求1.一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。2.如权利要求I所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于所述片式功率二极管的额定电流为0. 3A-0. 7A。3.如权利要求I所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于所述片式功率二极管的额定反向重复电压为600V-1000V。4.如权利要求I所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于所述片式功率二极管的芯片尺寸为32mil-45mil。5.如权利要求I所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于额定电流为0.3A的片式功率二极管的芯片有源区尺寸为21mil，为二次光刻台面镀镍区的尺寸为18mil*18mil，选取光刻线条宽度分别为2、3、4、5mil。6.如权利要求I所述的一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于产品评估采用热阻特性测试技术对芯片进行评估。全文摘要本专利技术公开一种片式功率二极管设计工艺，属于半导体设计工艺，包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。采用微型台面GPP玻璃钝化工艺，芯片设计工作结温为150℃，此工作结温完全能满足于绿色照明领域的应用，0.3A规格的芯片尺寸可以缩小到32mil，能广泛满足于目前20W以下绿色照明的应用需求。文档编号G01R31/26GK102800586SQ20121030904公开日2012年11月28日 申请日期2012年8月28日 优先权日2012年8月28日专利技术者张新华, 张若煜 申请人:绍兴文理学院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种片式功率二极管设计工艺，其特征在于：包括额定电流设计、额定反向重复电压设计、芯片尺寸设计、版图设计、扩散条件设计和产品评估，所述片式二极管采用微型台面GPP玻璃钝化工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张新华，张若煜，
申请(专利权)人：绍兴文理学院，
类型：发明
国别省市：
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