【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及半导体功率场效应晶体管封装，尤其是带有改良反向恢复电流的屏蔽栅极沟槽MOSFET封装。
技术介绍
由于屏蔽栅极沟槽MOSFET具有许多优良的性能，因此在ー些应用中，它比传统的MOSFET和传统的沟槽MOSFET更具有优势。屏蔽栅沟槽MOSFET降低了晶体管的栅漏电容Cgd，减小了导通电阻Rdsmi，并且提高了击穿电压。对于传统的沟槽MOSFET而言，在ー个通道中放置多个沟槽，在减小导通电阻的同时，也増大了整体的栅漏电容。引入屏蔽栅沟槽MOSFET结构可以修正该问题，通过使栅极与漏极区中的电场隔离，从而大幅降低了栅漏电容。屏蔽栅沟槽MOSFET结构还具有漏极区中少子浓度较高的附加优势，有利于器件的击穿·电压，从而降低了导通电阻。屏蔽栅沟槽MOSFET的改良型性能特点，使其非常适用于开关转换器(通常称为同步降压转换器(DC-DC转换器))等功率开关器件。屏蔽栅沟槽MOSFET尤其适用于同步降压转换器中的高端开关。然而，对于用作同步整流器的低端开关，体ニ极管反向恢复时过量的电荷，会导致功率耗散増大，转换效率降低。正是在这一前提下，提出了本专利技术所述的...
【技术保护点】
一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：a）一个第一导电类型的衬底；b）一个第一导电类型的外延层，位于衬底的上方；c）一个第二导电类型的本体区，形成在外延层上方，第二导电类型与第一导电类型相反；d）一个形成在本体层和外延层中的沟槽，其中电介质层内衬沟槽；e）一个形成在沟槽下部的屏蔽电极，其中通过电介质层，屏蔽电极与外延层绝缘；f）一个形成在屏蔽电极上方的栅极电极，其中通过额外的电介质层，栅极电极与屏蔽电极绝缘；g）一个或多个第一导电类型的源极区，形成在本体层的顶面内，其中每个源极区都靠近沟槽侧壁；h）一个形成在本体层上方的源极垫，其中源极垫电连接到所述的一个或多个源极区，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷燮光，苏毅，伍时谦，丹尼尔·卡拉夫特，安荷·叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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