【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路应用器件领域，特别涉及一种。
技术介绍
近年来，随着器件尺寸的不断缩小，传统金属氧化物半导体场效应器件遭遇短沟效应等瓶颈，进一步发展受到限制。为提高器件综合性能，研究人员提出了基于不同工作原理的多种新型器件，其中，隧穿场效应器件因其优秀的亚阈值特性和非常低的泄漏电流而 备受关注。为更好发挥隧穿器件性能优势，隧穿机制被应用到不同器件结构上，配合新型器件结构所具有的特点进一步提高器件性能。环栅纳米线隧穿场效应器件便是其中之一。而对纳米线本身来说，尽管其具有优良的栅控能力，但随着沟道半径缩减，其泄漏电流等特性受到较大的影响。CN03137771. 8公开了一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法，它的目的是提供一种自对准的电分离双栅金属氧化物半导体晶体管(M0S晶体管)。该技术方案所述双栅MOS晶体管，包括硅衬底及其上的绝缘介质层、源/漏区、沟道区、栅介质层、栅电极；所述沟道区为所述绝缘介质层上一垂直于所述硅衬底的硅墙；所述沟道区左右两侧对称地依次纵向排列所述栅介质层、栅电极；分布在所述沟道区左右两侧的栅电极相互自对准且电分离。其不足之处...
【技术保护点】
一种双材料栅纳米线隧穿场效应器件，包括源区、沟道、漏区和栅电极，其特征在于：所述器件中心为沟道，沟道两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何进，张爱喜，梅金河，杜彩霞，张立宁，叶韵，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：
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