半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，对所述半导体层构图而形成的第二鳍片；所述第一鳍片与第二鳍片的顶面持平，二者的底面接于所述半导体层，且第二鳍片的高度高于第一鳍片的高度。根据本发明专利技术，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，从而能够缩短工艺流程并降低制造费用，并提供具有不同驱动能力的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及一种具有不同器件尺寸的。
技术介绍
鳍式场效应晶体管(FinFET)由于对短沟道效应的良好控制而倍受关注。图I中示出了现有的FinFET器件的透视图。如图I所示，该FinFET包括体Si半导体层100 ;在体Si半导体层100上形成的鳍片101 ;跨于鳍片101上的栅堆叠102，栅堆叠102例如包括栅介质层和栅电极层(未示出)；以及隔离层(如SiO2) 103。在该FinFET中，在栅电极的控制下，在鳍片101中具体地在鳍片101的三个侧面(图中左、右侧面以及顶面)中产生导电沟道。也即，鳍片101位于栅电极之下的部分充当沟道区，源、漏区则分别位于沟道区两侧。在图I的示例中，FinFET形成于体半导体层上，但是FinFET也可以形成于其他形式的衬底如绝缘体上半导体(SOI)衬底上。另外，图I所示的FinFET由于在鳍片101的三个侧面上均能产生沟道，从而也称作3栅FET。例如，通过在鳍片101的顶壁与栅堆叠102之间设置隔离层(例如氮化物等)来形成2栅FET，此时鳍片101的顶面没有受到栅电极的控制从而不会产生沟道。尽管FinFET相对于常规本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面；对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面；其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，尹海洲，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：