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一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，对所述半导体层构图而形成的第二鳍片；所述第一鳍片与第二鳍片的顶面持平，二者的底面接于所述半导体层，且第二鳍片的高度高于第一鳍片的高度。根据本发明，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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