一种自对准硅化物晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管，包括：一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。根据本发明专利技术的具有自对准硅化物的晶体管，可以实现在进一步减小接触电阻的同时避免源漏节被贯穿的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准硅化物晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种自对准硅化物晶体管及其制造方法。
技术介绍
目前大多数集成电路都是集成多个晶体管，多个晶体管互联协同完成某种功能，当晶体管与其他组件连接时，晶体管的接触电阻会影响整个集成电路的运行效果。为了降低接触电阻，经常使用的一种自对准硅化物（SALICIDE）的晶体管。在自对准硅化物的形成工艺过程中，首先需要在完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在多晶硅上淀积一层金属层（一般为Ti，钴或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RTA），使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。金属硅化物（SILICIDE）是由金属和硅经过物理－化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间。为了进一步降低电阻，还可以经过多次煺火形成更低阻值的硅化物连接。如图1所示，现有技术的自对准硅化物晶体管100包括：衬底101、形成于衬底101上的栅极结构102、形成于所述栅极结构102两侧的衬底101表面的第一自对准金属硅化物103和形成于栅极结构102上的第二自对准金属硅化物104。随着集成电路集成度的提高，晶体管的尺寸要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有自对准硅化物的晶体管，包括：一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。

【技术特征摘要】
1.一种具有自对准硅化物的晶体管，包括：一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，所述依次层叠金属氮化物层和金属层覆盖部分所述第一自对准硅化物层，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。2.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述金属层是由金属钴形成的。3.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述金属氮化物层是由氮化钛形成的。4.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述第一自对准金属硅化物层的厚度范围为所述第二自对准多晶金属硅化物层的厚度范围为5.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述金属氮化物层的厚度范围为6.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述金属层的厚度范围为7.如权利要求1所述的具有自对准硅化物的晶体管，其特征在于，所述衬底为硅衬底。8.一种如权利要求1至7任意一项所述具有自对准硅化物的晶体管的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成源漏极区域；在所述源漏极区域上形成第一自对准金属硅化物层；在所述第一自对准金属硅化物层上形成与所述栅极结构隔开的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述依次层叠金属氮化物层和金属层覆盖部分所述第一自对准硅化物层，以及在所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。9.如权利要求8所述的具有自对准硅化物的晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源漏极区域上形成第一自对准金属硅化物层步骤中，包括：在所述衬底表面和栅极结构表面上依次形成初始金属层、金属氮化物层和金属层；对所述衬底进行第一次退火，以在所述源漏极区域上形成第一自对准金属硅化物层。10.如权利要求9所述的具有自对准硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：