自对准接触部制造技术

本发明专利技术涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】自对准接触部 本申请是申请日为2010年12月7日、专利技术名称为"自对准接触部"的专利申请 201080054553. 5的分案申请。
技术介绍
在集成电路的制造中使用金属氧化物半导体（MOS)晶体管，诸如MOS场效应晶体 管（MOSFET)。MOS晶体管包括诸如栅电极、栅极电介质层、间隔体等若干部件以及诸如源区 和漏区等扩散区。层间电介质（ILD)通常形成在MOS晶体管之上并且覆盖扩散区。 通过接触插塞的方式对MOS晶体管进行电连接，接触插塞通常由诸如钨等金属形 成。首先通过对ILD层进行构图以形成向下至扩散区的过孔来制造接触插塞。构图工艺通 常是光刻工艺。接下来，将金属沉积在过孔中以形成接触插塞。通过使用同样的或类似的 工艺，向下至栅电极形成分离的接触插塞。 在接触插塞的制造期间可能发生的一个问题是形成接触部到栅极短路。接触部到 栅极短路是当接触插塞未对准并且与栅电极电接触时发生的短路。一种用于防止接触部到 栅极短路的常规方法是通过控制定位（registration)和临界尺寸（CD)。但是不幸的是，对 于具有小于或等于100纳米（nm)的栅极间距（栅极长度+间隔）本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的间隔体对；共形高k栅极电介质层，其在所述衬底的表面上并且沿着所述间隔体对的侧壁；共形栅电极层，其(a)在所述共形高k栅极电介质层的位于所述衬底的所述表面上的部分上，并且(b)沿着所述共形高k栅极电介质层的那些沿着所述间隔体对的侧壁的部分；在所述共形栅电极层上的填充金属层；帽层，其在所述间隔体对之间并且与所述共形高k栅极电介质层、所述共形栅电极层、以及所述填充金属层中的这三个层均物理接触；邻近所述间隔体对的扩散区对；第一层间电介质(ILD)层，其被设置为与所述间隔体对直接相邻，所述第一层间电介质层基本上与所述间隔体对和所述帽层共面；第二层间电介质层，其被设置...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·T·博尔，T·加尼，N·M·拉哈尔乌拉比，S·乔希，J·M·施泰格瓦尔德，J·W·克劳斯，J·黄，R·马茨凯维奇，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US