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本发明涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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