一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法技术

本发明专利技术涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。

【技术实现步骤摘要】
一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法
本专利技术涉及一种新颖的制作穿硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)所使用的电镀方法，该方法操作十分简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性，属于圆片级TSV三维堆叠式互连封装

技术介绍
为了满足超大规模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的3D堆叠式封装技术应运而生。它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯片和多种技术集成到单个封装体中，是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造垂直电学导通，实现芯片之间互连的最新的封装互连技术，与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，所述的技术采用TSV(ThroughSiliconVia，穿硅通孔)代替了2D-Cu互连，能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此，业内人士将TSV称为继引线键合(WireBonding)、载带自动焊(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。在制作TSV结构的过程中，电镀工艺是最重要最复杂的一个环节，成本也占到了整个TSV工艺的40％以上。目前TSV电镀主要有盲孔电镀和通孔电镀两种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用裸支撑晶圆非对准键合工艺来制作TSV方法，其特征在于所述的非对准键合工艺是利用晶圆带有两条平行切边的结构特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au?Au键合；键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。

【技术特征摘要】
1.一种采用裸支撑晶圆非对准键合工艺来制作TSV方法，其特征在于所述的非对准键合工艺是利用晶圆带有两条平行切边的结构特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合；键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于是采用裸支撑晶圆和TSV晶圆非重合的Au-Au键合以露出种子层的方法，具体步骤是：(1)在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一个面上分别先后溅射一层TiW和Au层；(2)将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将任意一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，每片晶圆的两个切边位置露出了另一片晶圆的Au种子层，使电流密度在键合晶圆中均匀分布，然后在保证圆心重合后置于键合机中升温加压进行Au-Au键合；(3)用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骁，罗乐，汤佳杰，徐高卫，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：