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本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法,其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点,将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法,其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点,将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺...