一种存储器结构，其具有至少大致对准的浮栅和控制栅。这样的存储器结构包括：控制栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间；浮栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间并且与控制栅材料至少大致对准，该浮栅材料包括金属区和多层复合电介质（IPD）层，其设置在控制栅材料与浮栅材料之间使得IPD层将控制栅材料与浮栅材料电隔离。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
存储器结构是集成电路，其对多种电子设备提供数据存储。存储器可以包括在未被供电时丢失存储信息的易失性存储器结构(例如，RAM-随机存取存储器)，和甚至在未被供电时也保留存储信息的非易失性存储器结构。这样的非易失性存储器的一个示例是闪速存储器。非易失性闪速存储器可以在多种便携式设备中使用，并且对于在将数据从一个电子设备传输到另一个(其中在物理传输期间未供应电力)时的使用可是有益的。
技术实现思路
尽管下列详细描述为了说明目的而包含许多细节，本领域内普通技术人员将意识到可以对下列细节做出许多变动和更改并且它们视为包括在本文中。因此，阐述下列实施例而对阐述的任何权利要求不失一般性，并且没有对其施加限制。还要理解本文使用的术语仅仅是为了描述特定实施例，并且不意在为限制性的。除非另外限定，本文使用的所有技术和科学术语具有与该公开所属领域内的普通技术人员通常所理解的相同的含义。如在该说明书和附上的权利要求中使用的，单数形式“一”和“该”包括复数个引用物，除非上下文另外清楚指示。从而，例如，对“一层”的引用包括多个这样的层。在该公开中，“包括”、“包含”和“具有”及类似物可以将它们赋予在美国专利法中的含义并且可以意指“包括”及类似物，并且一般解释为开放式术语。术语“由…组成”是封闭式术语，并且仅包括连同这样的术语特别列出的部件、结构、步骤或类似物，以及根据美国专利法的那些。“基本上由…组成”一般由美国专利法对它们赋予的含义。特别地，这样的术语一般是封闭式术语，所不同的是允许包括额外项目、材料、部件、步骤或元件，其实质上未影响与之结合使用的项目的基本和新颖特性或功能。例如，如果在“基本上由…组成”语言下存在，组成中存在但不影响组成的性质或特性的痕量元素将是可允许的，即使未在遵循这样的术语的项目列表中明确记载也如此。在使用开放式术语(像“包括”或“包含”)时，理解也应对“基本上由…组成”语言以及“由…组成”语言给予直接支持，就好像被明确规定一样。在描述和权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”及类似物(如有的话)用于区分相似元素并且不一定用于描述特定相继或时间顺序。要理解这样使用的术语在适当情况下是可互换的，使得本文描述的实施例例如能够采用除本文图示或另外描述的那些以外的序列操作。相似地，如果方法在本文描述为包括一系列步骤，如本文呈现的这样的步骤的顺序不一定是可执行这样的步骤所采用的唯一顺序，并且规定步骤中的某些可可能被省略和/或本文未描述的某些其他步骤可能添加到方法。在描述和权利要求中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“上”、“下”及类似物(如有的话)用于描述性目的并且不一定用于描述永久相对位置。要理解这样使用的术语在适当情况下是能互换的使得本文描述的实施例例如能够在除与本文图示或另外描述的那些以外的方向上操作。如本文使用的术语“耦合”定义为采用电或非电方式直接或间接连接。本文描述为彼此“相邻”的对象可彼此物理接触、很靠近彼此或在与彼此相同的一般区或区域中，这视使用术语所在的上下文的情况而定。短语“在一个实施例中”或“在一个方面中”在本文的出现不一定都指相同实施例或方面。如本文使用的，术语“大致上”指动作、特性、性质、状态、结构、项目或结果的完全或接近完全的限度或程度。例如，“大致上”被包围的对象意指该对象被完全包围或接近完全被包围。偏离绝对完全性的确切的可容许程度在一些情况下可取决于特定上下文。然而，一般而言，接近完全将是为了具有如同获得绝对和总的完全性的情况相同的整体结果。“大致上”在以负的含义下使用时同样可适用来指动作、特性、性质、状态、结构、项目或结果的完全或接近完全缺乏。例如，“大致上没有”微粒的组成将完全缺乏微粒，或这样接近完全缺乏微粒，使得效果将与如果它完全缺乏微粒一样。也就是说，“大致上没有”要素或元素的组成可实际上仍包含这样的项目，只要其没有可测量效果即可。如本文使用的，术语“约”用于通过规定指定值可以“略高于”或“略低于”端点而对数值范围端点提供灵活性。如本文使用的，为了方便，在共同列表中可存在多个项目、结构元素、组成元素和/或材料。然而，应这样解释这些列表，好像列表中的每个构件独立识别为单独且唯一构件一样。从而，在没有相反指示的情况下，这样的列表的个体构件不应仅仅基于它们在共同组中的呈现而解释为相同列表中的任何其他构件的实际上的等同物。浓度、数量和其他数值数据可在本文采用范围格式表达或呈现。要理解这样的范围格式仅仅是为了方便和简洁而使用并且从而应灵活地解释成不仅包括作为范围极限明确记载的数值，而且还包括该范围内包含的所有个体数值或子范围，好像每个数值和子范围被明确记载一样。作为说明，“约I至约5”的数值范围应解释为不仅包括明确记载的约I至约5的值，而且还包括指示范围内的个体值和子范围。从而，该数值范围中包括例如2、3和4等个体值和例如1-3、2-4和3-5等子范围，以及单独1、2、3、4和5。该原理同样适用于仅记载一个数值作为最小值或最大值的范围。此外，这样的解释应适用，而不管描述的范围或特性的广度如何。在该整个说明书中对“示例”的引用意指连同该示例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。从而，在该整个说明书中在各种地方出现的短语“在示例中”不一定都指相同实施例。【附图说明】图1是根据本专利技术的实施例的存储器结构的一段的示意图； 图2是根据本专利技术的实施例的3D NAND存储器单元的一段的示意图； 图3是根据本专利技术的实施例制作存储器结构的方法的流程图； 图4A是根据本专利技术的实施例在制造期间存储器结构的一段的示意图； 图4B是根据本专利技术的实施例在制造期间存储器结构的一段的示意图； 图4C是根据本专利技术的实施例在制造期间存储器结构的一段的示意图； 图4D是根据本专利技术的实施例在制造期间存储器结构的一段的示意图； 图4E是根据本专利技术的实施例在制造期间存储器结构的一段的示意图； 图5是根据本专利技术的实施例的3D NAND存储器单元的一段的示意图。【具体实施方式】在下文提供技术实施例的初步概述并且随后进一步详细描述特定技术实施例。该初步简要描述意在帮助读者更快地理解技术但不意在认定技术的关键特征或必要特征，也不意在限制要求保护的主旨的范围。3D NAND存储器一般包括多个存储器单元，其包括浮栅晶体管。当前3D NAND存储器单元可以包括围绕中央单元柱以三维设置的多个NAND存储器结构。存储器结构一般可以包括浮栅，其通过叫作隧道电介质层的薄电介质层而与支承半导体衬底电隔离。导电材料(控制栅)邻近浮栅安置并且通过多层复合电介质(iro)层而与浮栅电隔离。多层复合电介质(inter-poly dielectric)可以是分层结构，并且在一些方面中可以包括夹在二氧化娃的两个层之间的氮化硅层。浮栅一般由对电荷充当电荷存储元件的导电材料组成。该电荷存储元件限定它与之关联的特定晶体管的存储器状态。浮栅与环绕的导电材料电隔离，并且从而其中存储的电荷甚至在对设备的供电被中断时也保持。制造NAND存储器结构中可能出现的一个问题涉及浮栅与控制栅的对准。这些栅之间的未对准可能负面影响设备的性能和可靠性。随着NAND存储器结构的尺寸减小，浮栅与控制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储器结构，其具有至少大致对准的浮栅和控制栅，所述存储器结构包括：控制栅材料，其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间；浮栅材料，其设置在所述第一绝缘体层与所述第二绝缘体层之间并且与所述控制栅材料至少大致对准，所述浮栅材料包括金属区；和多层复合电介质（IPD）层，其设置在所述控制栅材料与所述浮栅材料之间使得所述IPD层将所述控制栅材料与所述浮栅材料电隔离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：JD霍金斯，FA辛塞克格，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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