【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体集成电路器件的制作方法，特别是涉及一种SONOS存储器的制造过程中的去胶工艺的方法。
技术介绍
随着存储器工艺的不断发展，器件的尺寸不断的缩小，读操作的电流也随之越来越小。而因为读操作电流的迅速变小，也同时压缩了存储器的工艺窗口。例如在2T SONOS存储器中，如果与SONOS管串联的选择管饱和电流太小，就会影响到2T的整体的读电流，严重时即使SONOS管处于正常的擦除状态，读电流还是会受到选择管的影响而偏小，甚至无法达到参考电流而出现假性的“无法擦除失效”。图1示出了0.13um SONOS平台下的某产品的测试效果图，因为原有的工艺的窗口太小，工艺波动会造成器件失效，严重时良率损失达到90％以上。导致这些低良的原因全部都是因为原有工艺中，选择管的饱和电流偏低而出现的假性“擦除失效”。
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题是如何提高选择管的饱和电流来解决因为选择管的饱和电流偏低而出现的假性“擦除失效”问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；步骤六，进行选择管栅氧生长。较佳地，所述有机溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯。较佳地，所述选择管栅氧厚度为并且与MOS管共用一道工艺生长栅氧。附图说明图1是现有技术的SONOS存储器制造方法某产品的测试效果图。图2是本专利技术的可优化去胶...
【技术保护点】
一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；步骤六，进行选择管栅氧生长。
【技术特征摘要】
1.一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，张可钢，陈华伦，邵国键，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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