用于集成电路的UBM的形成制造技术

一种方法包括在金属焊盘上方形成聚合物层；在聚合物层中形成开口从而暴露出金属焊盘的一部分；以及形成凸块下金属化层(UBM)。该UBM包含延伸至开口内的电连接至金属焊盘的部分。本发明专利技术提供了用于集成电路的UBM的形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及UBM器件的形成方法。
技术介绍
在半导体晶圆的形成中，首先在半导体衬底的表面形成集成电路器件，诸如，晶体管。然后在集成电路器件上方形成互连结构。在半导体芯片的表面上形成互连件(诸如，金属凸块)，从而可以评估集成电路器件。在典型的金属-凸块形成工艺中，首先采用溅射形成电连接至金属焊盘的凸块下金属化(UBM)层。该UBM层可以包括钛层、以及位于钛层上方的铜种子层。然后，例如通过电镀在UBM层上形成金属凸块。形成工艺包括形成用来覆盖UBM层的第一部分并且使UBM层的第二部分未被覆盖的掩模。在UBM层的第二部分上形成金属凸块。在形成金属凸块之后，去除掩模，并且通过湿法蚀刻去除UBM层的第一部分。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种方法，包括:在金属焊盘上方形成聚合物层；在所述聚合物层中形成开口从而暴露出所述金属焊盘的一部分；以及采用化学镀形成凸块下金属化层(UBM)，其中，所述UBM包括延伸至所述开口内的电连接至所述金属焊盘的部分，以及位于所述聚合物层的上方并且与所述聚合物层重叠的部分。在所述的方法中，实施形成所述UBM的步骤直到所述UBM的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在金属焊盘上方形成聚合物层；在所述聚合物层中形成开口从而暴露出所述金属焊盘的一部分；以及采用化学镀形成凸块下金属化层(UBM)，其中，所述UBM包括延伸至所述开口内的电连接至所述金属焊盘的部分，以及位于所述聚合物层的上方并且与所述聚合物层重叠的部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴逸文，林正怡，何明哲，刘重希，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：