【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别地涉及一种具有在超薄外延硅化物上的多层金属硅化物提升源/漏(RSD)的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构及其制造方法。
技术介绍
随着技术节点持续推进，以MOS晶体管栅极宽度或沟道长度为代表的集成电路特征尺寸持续缩减，使得沟道电阻随之降低，一定程度上提高了器件性能。然而沟道缩短之后带来了诸如短沟道效应等一系列问题，抑制了器件性能的进一步提升。为了克服短沟道效应，晶体管的源漏深度必须相应地或者以更大比例缩减，使得源漏节变得越来越浅，例如仅为长沟道器件源漏结深的70%，因此源漏寄生电阻急剧增大。当物理栅长度进入亚30nm区域时，源漏寄生电阻增大对器件性能的阻碍影响已经超过了沟道电阻降低带来的益处。因此，如何有效降低寄生源漏以提升器件性能成为了巨大的挑战。传统的解决方案中，提出对源漏尽可能高浓度地掺杂以降低寄生电阻。但是，由于固溶度极限以及短沟道效应控制要求突变掺杂界面，源漏掺杂变得越来越受限。为了解决这一问题，提出了一些方案。除了由本专利技术申请人所提出的例如为金属硅化物源漏MOSFET的新型器件结构之外，业界还使用通过...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏，其特征在于：提升源漏由金属硅化物构成，源漏区与提升源漏之间具有外延生长的超薄金属硅化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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