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本发明提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管，包括：一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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