【技术实现步骤摘要】
这里描述的实施例通常涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。
技术介绍
在场效应晶体管中，随着其尺度的缩小短沟道效应越来越明显，因此要求高浓度的沟道杂质以抑制常规单栅极晶体管中的短沟道效应。然而，已公知，增加沟道杂质的浓度会引起许多问题，例如源于沟道中的载流子迁移率的下降的开电流(on-current)的减小，源于杂质波动的阈值电压变化的增加以及结漏电流的增加，因此需要在不增加沟道杂质的浓度的情况下抑制短沟道效应以提高缩放的晶体管的性能。一种在沟道上设置多个栅极电极的多栅极晶体管被建议作为不增加沟道杂质的浓度而抑制短沟道效应的方法。因为多栅极晶体管用多个栅极电极控制沟道电势，所以栅极电极对沟道电势的影响可以高于漏极电极对沟道电势的影响并且因此可以抑制短沟道效应而不增加沟道杂质的浓度。在作为多栅极晶体管的鳍片晶体管中，通过增加鳍片的高度增加沟道宽度，并且因此可以增加开电流而不增加足印(footprint)，从而鳍片晶体管可以有效用作例如在要求高驱动电流的存储器中的基元(cell)晶体管。以与平面晶体管类似的方式，在鳍片晶体管中，一般地，在源极/漏极上形成硅化物并且在...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：鳍片型半导体；栅极电极，在所述鳍片型半导体的侧表面上形成，在所述栅极电极与所述鳍片型半导体之间具有栅极介质膜，其中所述鳍片型半导体的两个端部被暴露；源极/漏极，在所述鳍片型半导体的两个端部中形成；侧壁隔离物，在所述源极/漏极的侧表面上形成，其中所述源极/漏极中的所述鳍片型半导体的上部的表面被暴露；以及硅化物层，在所述鳍片型半导体的上部中的所述源极/漏极的表面上形成。
【技术特征摘要】
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