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本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。根据一个实施例，一种半导体器件包括鳍片型半导体、在鳍片型半导体的侧表面上形成的栅极电极，在鳍片型半导体和栅极电极之间具有栅极介质膜，其中鳍片型半导体的两个端部被暴露、在鳍片型半导体的两个端部中形成...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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