准垂直功率MOSFET及其形成方法技术

MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化物与体区隔离开的栅电极。栅极氧化物的一部分和栅电极的一部分低于体区的顶面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体领域，更具体地，涉及准垂直功率MOSFET及其形成方法。
技术介绍
横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)器件由于其击穿电压BVdss和导通电阻Ron的良好性能而被广泛用于电源管理应用中。传统的LDMOS可以包括阱区和阱区上方的栅叠层，该栅叠层包括栅极介电层和栅电极。体区和双扩散漏极(DDD)区延伸到栅叠层下方，并且该体区和双扩散漏极通过位于栅叠层正下方的阱区的一部分隔离开。将源极拾取区和漏极拾取区设置在栅叠层的相对的两侧上，并且分别形成在体区和DDD区上方。 通过栅叠层、体区、DDD区等的横向尺寸来确定LDMOS的单元间隙。为了获得期望的击穿电压BVdss，LDMOS的单元间隙通常不能小于特定值，因此，损失了导通电阻Ron。因此，对LDMOS的栅极密度的规模进行缩小收到了限制。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种器件，包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET包括半导体衬底，包括顶面；体区，具有第一导电类型，位于半导体衬底中；双扩散漏极DDD区，具有顶面，顶面低于体区的底面，其中，DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET包括：半导体衬底，包括顶面；体区，具有第一导电类型，位于所述半导体衬底中；双扩散漏极DDD区，具有顶面，所述顶面低于所述体区的底面，其中，所述DDD区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；栅极氧化物；以及栅电极，通过所述栅极氧化物与所述体区间隔开，其中，所述栅极氧化物的一部分和所述栅电极的一部分位于所述体区的所述顶面的下方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈吉智，田昆玄，柳瑞兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：