一种功率二极管器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率二极管器件，它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、ALN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连。环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部，环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内，所述金属层覆盖任一个环形场板的凹部。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到一种功率ニ极管器件。
技术介绍
功率ニ极管器件要能够承受高电压，器件结构中就必须采用先进的终端结构设计。其结构如附图I所示，此终端结构的作用是削弱电极边缘的电场增强尖峰，使电场分布平坦化，避免器件过早击穿。因此，在高功率肖特基器件的设计过程中，在确定了电压阻断层的掺杂浓度和厚度后，肖特基电极周边的终端结构设计将决定器件能否承受所要求的高电压。场限环(guard ring)是功率ニ极管器件最常用的终端结构,它的制备エ艺对于娃基器件已经非常成熟，如附图2所示，通常通过几个操作步骤完成·按设计生长具有合适掺杂浓度和厚度的N-/N+外延结构；通过半导体微加工エ艺在器件表面形成掩膜，进行选择性P型杂质离子注入；去除掩膜，经过热退火后形成P型終端结构；采用半导体微加工方法制作肖特基ニ极管的阳极和阴极。场限环结构虽然效果很好并被大規模采用到硅基功率电子器件中，但是，这种结构却不能简单地被移植到GaN功率电子器件的エ艺流程中。其主要的原因是在GaN材料中通过离子注入方法进行P型掺杂并不成熟；具体来讲，当被加速的离子注入到单晶材料中时，闻能尚子将极大地破坏材料晶格的有序性，进而在注入区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率二极管器件，其特征在于：它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、AlN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述场限环呈环形结构，所述AlN层为与所示场限环相对应的环形结构，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：