本发明公开一种高阈值增强型功率器件及其制备方法，涉及半导体器件制备领域；GaN缓冲层、GaN凹槽层和AlGaN层在Si衬底上由下至上依次外延生长而成；AlGaN层具有第一部分凹槽；p‑AlGaN层设置在第一部分凹槽内；钝化层覆盖AlGa...

本发明公开了一种集成式的肖特基器件及制备方法，器件包括二极管单元

本发明提供了一种栅极漏电可调控的GaN功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明在衬底上依次层叠生长缓冲层、势垒层和P

本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通...

本发明公开一种改善电磁兼容的功率器件，涉及半导体功率器件领域；该功率器件包括：GaN器件、开关器件和开关驱动模块；开关器件包括硅基场效晶体管；硅基场效晶体管的栅极作为功率器件的栅极；硅基场效晶体管的源极作为功率器件的源极；硅基场效晶体管...

本发明公开一种耗尽型GaNHEMT器件反偏老化测试装置，涉及功率器件测试领域，装置包括：电源模块和测试电阻转换模块的一端均与测试模块连接；测试模块用于放置待测试器件；电源模块用于对所述待测试器件提供电压；测试电阻转换模块的另一端与测试电...

本发明涉及半导体领域，公开了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓HEMT，所述氮化镓器件制备方法包括以下步骤：在衬底上通过化学气相沉积方式外延生长多个层，所述层间包括有源器件通道区域；对所述衬底的全局背面进行研磨；在研磨后的衬底背面的局部区域...

本实用新型公开了一种有利于热设计的桥式封装电路，包括级联设置的第一开关管、第二开关管，所述第一开关管的源极与第二开关管的漏极连接；其中，所述第一开关管的漏极被配置为与BUS电压端连接，所述第二开关管的源极被配置为接地；所述桥式封装电路还...

本发明提供了一种增强型GaNHEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明制备的增强型GaNHEMT器件在相同器件面积下，相对于传统p

本实用新型公开一种扩散炉炉门铰链，涉及炉门技术领域，本申请的扩散炉炉门铰连包括若干段联杆，各段所述联杆之间通过螺纹轴I转动连接，所述联杆的一端设置有转动机构，所述转动机构上设有炉体连接板，所述联杆的另一端与螺纹轴II转动连接，所述螺纹轴...

本发明提供了一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明在P

本发明提供了一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明提供的低反向漏电准垂直结构GaNSBD，在刻蚀后余下N

本发明公开一种耗尽型GaN功率器件直驱电路，涉及GaN器件驱动领域，包括驱动芯片、驱动电路和至少一个耗尽型GaN功率器件；驱动芯片分别与驱动电路的一端和耗尽型GaN功率器件的源极以及KS引脚连接；驱动电路的另一端与耗尽型GaN功率器件的...

本发明公开一种高速GaN功率器件及其制备方法，涉及器件制备领域；在衬底上由底至顶依次生长缓冲层和AlGaN层；AlGaN层的顶部生长间隔分布的P

本发明公开一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构，涉及GaN HEMT器件技术领域，所述蓝宝石衬底的GaN HEMT器件，包括：由上向下依次设置的蓝宝石衬底、GaN HEMT层和电极层；所述电极层包括源极、栅极和漏极。本发明...

本发明提供了一种外延层结构及其制备方法和应用，属于晶体管器件技术领域。本发明提供的外延层结构自下而上依次包括层叠设置的硅衬底、氧化铝镓层、成核层、缓冲层、通道层、势垒层和盖帽层；所述氧化铝镓层的化学组成为(Ga1‑

本发明属于氮化镓外延生长技术领域，具体涉及一种AlN缓冲复合层及其制备方法和应用、氮化镓功率器件的外延结构及其制备方法。本发明提供了一种AlN缓冲复合层，包括交替层叠设置的第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层；所述第一AlN缓冲层具有三维...

本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P

本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N

本发明涉及异质结场效应晶体管技术领域，尤其涉及一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法。本发明提供的外延结构，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN阻隔层；所述缓冲层包括GaN纳米柱阵列和填充在所述GaN纳米柱阵列间隙...